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精酿【研究背景】金属氧化物这一类半导体被用作透明导电电极而广泛应用于光电和显示器件中。在这个工作中他们以SnO为例,青岛全麦探究了通过引入第三种元素X形成Sn-O-X三元化合物来增大二元化合物SnO禁带宽度和Sn2+的相稳定性。

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原浆元包邮24元进一步研究并设计具有高迁移率高相稳定性的p型氧化物对于发展高性能的金属氧化物具有十分重要的意义。拉格这个概念应用到其他p型金属氧化物中会设计出更高性能的p型金属氧化物半导体。【图文导读】图一、黄啤筛选高迁移率高相稳定性p型氧化物半导体流程Figure1 Illustrationofmaterialsscreeningprocedureforhigh-mobilityandthermodynamicallystablep-typeoxides.表一、黄啤基于Sn2+的高迁移率高相稳定性p型氧化物半导体图二、p型氧化物半导体化学势相图Figure2PhasestabilitydiagramsofthemostpromisingSn-O-X compoundscalculatedfromfirstprinciples intermsofSn-X chemicalpotentialmaps.Thepanelsreferto(a)K-Sn-O,(b)Rb-Sn-O,(c)P-Sn-O,(d)Ti-Sn-O,(e)Ta-Sn-O,(f)Cs-Sn-O,(g)Na-Sn-O,(h)Ge-Sn-O,and(i)B-Sn-O.ThegreenregionofSnandX chemicalpotentialsindicateswheretheidentifiedp-typeSn-O-X compoundphaseisthermodynamicallystable.Theinsertstosubfigures(g)-(i)showthezoomed-instabilityareasofSn2+-O-X ternarycompounds.currentphasediagramcalculations.图三、p型氧化物半导体其形成能与SnO含量的关系Figure3Calculatedstabilizationenergy δE ofaSn2+-O-X compoundversustheSnOmolefractioninthatSn2+-O-X compound.ForagivenphaseP,itsδE iscalculatedas theenergydistancefromthephaseP totheconvexhullsurfacecalculatedwithoutP. ForthesameX,Sn2+-O-X withahigherSnOcontentgenerallypossessesamorepositiveδEandlowerphasestability.【结论展望】通过引入第三种元素到二元金属氧化物可以来改善p型氧化物禁带宽度小相稳定性弱的缺点

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